IXFX120N20

更新时间： 2024-02-16 07:57:47

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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HiPerFET Power MOSFETs

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IXFX120N20 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLUS247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	120 A	最大漏极电流 (ID)：	120 A
最大漏源导通电阻：	0.017 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	560 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	480 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFX120N20 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

IXFX 120N20

IXFK 120N20

V_DSS= 200 V

I_D25= 120 A

R_DS(on)= 17 mW

Single MOSFET Die

t_rr£ 250 ns

Preliminary data sheet

PLUS 247^TM(IXFX)

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

200

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_D25

I_D104

I_DM

T_C= 25°C (MOSFET chip capability)

T_C= 104°C (External lead capability)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

120

480

120

TO-264 AA (IXFK)

I_AR

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

(TAB)

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

P_D

T_J

T_C= 25°C

560

-55 ... +150

°C

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

Features

• Internationalstandardpackages

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Ruggedpolysilicongatecellstructure

• UnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

• Lowpackageinductance

- easy to drive and to protect

• Fastintrinsicrectifier

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

°C

M_d

Mountingtorque

TO-264

0.9/6 Nm/lb.in.

Weight

PLUS 247

TO-264

Applications

• DC-DC converters

• Batterychargers

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

• DC choppers

• ACmotorcontrol

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= ±20 V, V_DS= 0

200

2.0

4.0 V

• Temperatureandlightingcontrols

±200nA

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100 mA

2 mA

• PLUS 247^TMpackage for clip or spring

mounting

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Note 1

17 mW

• Space savings

• Highpowerdensity

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98636(7/99)

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDH44N50	ONSEMI	功能相似	功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500 V，44 A，120 mΩ，TO-

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IXFX120N30T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFX120N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXFX12N90Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 900V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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