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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 134K | |
描述 | ||
Power Field-Effect Transistor, |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.34 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFX120N30T | IXYS |
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GigaMOS Power MOSFET | |
IXFX120N30T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXFX120N65X2 | LITTELFUSE |
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这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,具有最低的导通电阻,以及低栅极电荷和卓越的 | |
IXFX12N90Q | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 900V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IXFX12N90Q | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 900V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IXFX140N25T | IXYS |
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GigaMOS Power MOSFET | |
IXFX140N25T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXFX140N30P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET | |
IXFX140N30P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFX14N100 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |