IXFH52N30P

更新时间： 2024-02-12 04:55:45

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
PolarHT Power MOSFET HiPerFET

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IXFH52N30P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.46	JESD-609代码：	e1
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

IXFH52N30P 数据手册

PolarHT^TMPower

V_DSS= 300V

I_D25= 52A

R_DS(on)≤ 66mΩ

≤ 200ns

IXFV52N30P

IXFV52N30PS

IXFH52N30P

MOSFET HiPerFET^TM

t_rr

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

PLUS220 (IXFV)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

300

V_DGR

V_GSS

V_GSM

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

Continuous

300

± 20

± 30

D (TAB)

Transient

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

PLUS220SMD (IXFV_S)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

150

I_A

T_C= 25°C

E_AS

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

400

V/ns

D (TAB)

T_C= 25°C

TO-247 (IXFH)

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

T_L

-55 ... +150

300

Maximum lead temperature for soldering

Plastic body for 10s

D (TAB)

T_SOLD

M_d

260

Mounting torque (TO-247)

Mounting force (PLUS220)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

F_C

11..65/2.5..14.6

G = Gate

= Drain

S = Source

TAB = Drain

Weight

PLUS220 & PLUS220SMD

TO-247

Features

^zInternational standard packages

^zFast recovery diode

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

^zAvalanche rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

300

2.5

5.0

Advantages

± 100 nA

25 μA

Easy to mount

Space savings

High power density

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

66 mΩ

DS99197F(05/08)

12 3 4 5

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTH50N30	IXYS	类似代替	Advance Technical Information High Current Power MOSFET
IXTQ52N30P	IXYS	完全替代	PolarHT Power MOSFET
IXTT52N30P	IXYS	完全替代	PolarHT Power MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH52N30Q	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t Low Gate Charge and Capacita
IXFH52N30Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH52N50P2	IXYS	获取价格	PolarP2 HiperFET Power MOSFET
IXFH52N50P2	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH56N30X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFH58N20	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH58N20	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH58N20Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH58N20Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH58N20S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 58A I(D) \| TO-247VAR

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