IXFV74N20P

更新时间： 2024-11-18 04:22:47

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描述
PolarHT HiPerFET Power MOSFET

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IXFV74N20P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC, PLUS220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	74 A
最大漏极电流 (ID)：	74 A	最大漏源导通电阻：	0.034 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	480 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFV74N20P 数据手册

PolarHT^TMHiPerFET

Power MOSFET

IXFH 74N20P

IXFV 74N20P

IXFV 74N20PS

V_DSS= 200

I_D25

R_DS(on)

t_rr

34 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Fast Recovery Diode, Avalanche

Rated

≤ 200 ns

PreliminaryDataSheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247 (IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

200

T_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

D (TAB)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

200

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

PLUS220 (IXFV)

1.0

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 4 Ω

V/ns

D (TAB)

T_C= 25°C

480

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +150

°C

PLUS220SMD (IXFV-PS)

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

250

°C

F_C

Mounting Force

Mounting torque

(PLUS220)

(TO-247)

1.13/10 Nm/lb.in.

D (TAB)

M_d

G = Gate

D = Drain

TAB = Drain

Weight

TO-247

PLUS220

6.0

4.0

S = Source

Features

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

200

Low package inductance

- easy to drive and to protect

2.5

5.0

100

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

T_J= 125°C

Easy to mount

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

34 mΩ

High power density

DS99209(09/04)

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IXTT74N20P	IXYS	功能相似	PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
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