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IXTQ74N20P

更新时间： 2024-11-18 12:27:43

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IXYS		晶体晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
5页	175K
描述
PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTQ74N20P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	TO-3P, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.34	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	74 A	最大漏极电流 (ID)：	74 A
最大漏源导通电阻：	0.034 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	480 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTQ74N20P 数据手册

IXTQ 74N20P

IXTT 74N20P

V_DSS= 200 V

I_D25= 74

R_DS(on)≤ 34 mΩ

PolarHT^TM

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-3P (IXTQ)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 175° C

T_J= 25° C to 175° C; R_GS= 1 MΩ

200

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

I_DM

T_C=25° C

(TAB)

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

200

I_AR

T_C=25° C

E_AR

E_AS

T_C=25° C

TO-268 (IXTT)

1.0

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 4 Ω

V/ns

D (TAB)

T_C=25° C

480

G = Gate

D = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +150

°C

S = Source

TAB = Drain

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

Features

M_d

Mounting torque

(TO-3P)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-3P

TO-268

5.5

5.0

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

200

Advantages

2.5

5.0

Easy to mount

Space savings

100

High power density

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

34 mΩ

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99119E(12/05)

12 3 4 5

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IXTQ74N20P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTH72N20	IXYS	功能相似	N-Channel Enhancement Mode
IXTT74N20P	IXYS	功能相似	PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXFH74N20P	IXYS	功能相似	PolarHT HiPerFET Power MOSFET

与IXTQ74N20P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ75N10P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode
IXTQ75N10P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ76N25T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTQ76N25T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低
IXTQ80N28T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 280V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ82N25P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET
IXTQ82N25P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ86N20T	IXYS	获取价格	Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ86N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTQ86N25T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

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