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IXTQ76N25T PDF预览

IXTQ76N25T

更新时间： 2024-11-06 14:56:23
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅
页数 文件大小 规格书
8页 312K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

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TrenchTM  
Power MOSFET  
VDSS = 250V  
ID25 = 76A  
RDS(on) 44m  
IXTA76N25T  
IXTP76N25T  
IXTQ76N25T  
IXTH76N25T  
N-Channel Enhancement Mode  
Typical Avalanched BV = 300V  
TO-263 AA (IXTA)  
TO-220AB (IXTP)  
TO-3P (IXTQ)  
G
S
G
D
G
D
D (Tab)  
S
D (Tab)  
S
D (Tab)  
TO-247(IXTH)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25C to 150C  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
250  
250  
V
V
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
G
D
D (Tab)  
S
ID25  
IDM  
TC = 25C  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
76  
170  
A
A
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
Tab = Drain  
IA  
EAS  
TC = 25C  
TC = 25C  
8
1.5  
A
J
PD  
TC = 25C  
460  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
C  
C  
C  
Features  
Avalanche Rated  
High Current Handling Capability  
Fast Intrinsic Rectifier  
Low RDS(on)  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Plastic Body for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
FC  
Mounting Force (TO-263)  
10..65 / 2.2..14.6  
N/lb  
Md  
Mounting Torque (TO-220, TO-3P & TO-247)  
1.13/10  
Nm/lb.in  
Weight  
TO-263  
TO-220  
TO-3P  
2.5  
3.0  
5.5  
6.0  
g
g
g
g
Advantages  
Easy to Mount  
Space Savings  
TO-247  
High Power Density  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
Applications  
BVDSS  
VGS = 0V, ID = 1mA  
VGS = 0V, ID = 10mA  
250  
V
V
DC-DC Converters  
Battery Chargers  
300  
VGS(th)  
IGSS  
VDS = VGS, ID = 250μA  
VGS = 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
3.0  
5.0  
V
Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
 100 nA  
A  
DC Choppers  
AC Motor Drives  
Uninterruptible Power Supplies  
High Speed Power Switching  
Applications  
IDSS  
2
TJ = 125C  
200 μA  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
44 m  
DS99663G(11/15)  
© 2015 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTQ80N28T IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 280V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ82N25P IXYS

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 		PolarHT Power MOSFET
IXTQ82N25P LITTELFUSE

获取价格

 		Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ86N20T IXYS

获取价格

 		Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ86N20T LITTELFUSE

获取价格

 		沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTQ86N25T LITTELFUSE

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 		Power Field-Effect Transistor,
IXTQ86N25T IXYS

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IXTQ88N28T IXYS

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 		Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 280V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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 		PolarHTTM Power MOSFET
IXTQ88N30P LITTELFUSE

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