IXTQ75N10P

更新时间： 2024-11-17 21:55:19

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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5页	582K
描述
N-Channel Enhancement Mode

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IXTQ75N10P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	TO-3P, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.71	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.025 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTQ75N10P 数据手册

Advanced Technical Information

PolarHT^TM

Power MOSFET

IXTQ 75N10P

IXTA 75N10P

IXTP 75N10P

V_DSS= 100 V

I_D25= 75 A

R_DS(on)= 25 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

TO-3P(IXTQ)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 175°C

100

T^J_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1 MΩ

(TAB)

V_GSM

TO-220 (IXTP)

I_D25

I_DM

= 25°C

T^C_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

200

I_AR

(TAB)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.0

TO-263 (IXTA)

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 10 Ω

V/ns

T_C= 25°C

300

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

(TAB)

G = Gate

D = Drain

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Maximum tab temperature for soldering

TO-263 package for 10s

300

260

°C

S = Source

TAB = Drain

Features

M_d

Mounting torque

(TO-3P / TO-220)

1.13/10 Nm/lb.in.

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Weight

TO-3P

TO-220

TO-263

5.5

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Advantages

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

100

Easy to mount

Space savings

2.5

5.0

High power density

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

PolarHT^TMDMOStransistors

utilize proprietary designs and

process. US patent is pending.

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

25 mΩ

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99158(03/04)

12 3 4 5

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IXTQ75N10P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SK3588-01SJ	FUJI	功能相似	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
IXTA75N10P	IXYS	功能相似	N-Channel Enhancement Mode

与IXTQ75N10P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ76N25T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTQ76N25T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低
IXTQ80N28T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 280V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ82N25P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET
IXTQ82N25P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ86N20T	IXYS	获取价格	Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ86N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTQ86N25T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTQ86N25T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 86A I(D), 250V, 0.037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ88N28T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 280V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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