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IXTQ86N20T PDF预览

IXTQ86N20T

更新时间： 2024-11-19 14:56:55
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅
页数 文件大小 规格书
7页 334K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

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IXTQ86N20T 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.76
Base Number Matches：1

IXTQ86N20T 数据手册

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Trench Gate  
Power MOSFET  
VDSS = 200V  
ID25 = 86A  
RDS(on) 33m  
IXTA86N20T  
IXTP86N20T  
IXTQ86N20T  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalance Rated  
TO-263  
G
S
D (Tab)  
TO-220 (IXTP)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25C to 175C  
200  
200  
V
V
G
D
VDGR  
TJ = 25C to 175C, RGS = 1M  
S
D (Tab)  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
TO-3P  
ID25  
IDM  
TC = 25C  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
86  
A
A
260  
G
D
S
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
10  
1
A
J
D (Tab)  
EAS  
PD  
TC = 25C  
550  
3
W
G = Gate  
D
= Drain  
dv/dt  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
V/ns  
S = Source  
Tab = Drain  
TJ  
-55 ... +175  
175  
C  
C  
C  
TJM  
Tstg  
Features  
-55 ... +175  
High Current Handling Capability  
Avalanche Rated  
Fast Intrinsic rectifier  
Low RDS(on)  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
FC  
Md  
Mounting Force (TO-263)  
Mounting Torque (TO-220 & TO-3P)  
10..65 / 2.2..14.6  
1.13 / 10  
N/lb  
Nm/lb.in  
Weight  
TO-263  
TO-220  
TO-3P  
2.5  
3.0  
5.5  
g
g
g
Advantages  
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
Applications  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 1mA  
VGS = 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
200  
V
V
DC-DC Converters  
Battery Chargers  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
DC Choppers  
AC Motor Drives  
Uninterruptible Power Supplies  
High Speed Power Switching  
3.0  
5.0  
200 nA  
A  
IDSS  
1
TJ = 125C  
250 A  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
33 m  
Applications  
DS99664A(4/18)  
© 2018 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
1234567

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与IXTQ86N20T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTQ86N25T LITTELFUSE

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 		Power Field-Effect Transistor,
IXTQ86N25T IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 86A I(D), 250V, 0.037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ88N28T IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 280V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ88N30P IXYS

获取价格

 		PolarHTTM Power MOSFET
IXTQ88N30P LITTELFUSE

获取价格

 		Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ90N15T IXYS

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 		Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTQ96N15P IXYS

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 		N-Channel Enhancement Mode Preliminary Data Sheet
IXTQ96N15P LITTELFUSE

获取价格

 		Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ96N20P IXYS

获取价格

 		N-Channel Engancement Mode
IXTQ96N20P LITTELFUSE

获取价格

 		Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡

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