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IXTA75N10P

更新时间： 2024-11-17 21:55:19

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5页	582K
描述
N-Channel Enhancement Mode

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IXTA75N10P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	TO-263, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.7	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.025 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTA75N10P 数据手册

Advanced Technical Information

PolarHT^TM

Power MOSFET

IXTQ 75N10P

IXTA 75N10P

IXTP 75N10P

V_DSS= 100 V

I_D25= 75 A

R_DS(on)= 25 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

TO-3P(IXTQ)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 175°C

100

T^J_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1 MΩ

(TAB)

V_GSM

TO-220 (IXTP)

I_D25

I_DM

= 25°C

T^C_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

200

I_AR

(TAB)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.0

TO-263 (IXTA)

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 10 Ω

V/ns

T_C= 25°C

300

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

(TAB)

G = Gate

D = Drain

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Maximum tab temperature for soldering

TO-263 package for 10s

300

260

°C

S = Source

TAB = Drain

Features

M_d

Mounting torque

(TO-3P / TO-220)

1.13/10 Nm/lb.in.

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Weight

TO-3P

TO-220

TO-263

5.5

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Advantages

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

100

Easy to mount

Space savings

2.5

5.0

High power density

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

PolarHT^TMDMOStransistors

utilize proprietary designs and

process. US patent is pending.

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

25 mΩ

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99158(03/04)

12 3 4 5

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IXTA75N10P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SK3588-01SJ	FUJI	功能相似	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
STB60NF10T4	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 100V - 0.019ohm - 80A D2PAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET

与IXTA75N10P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA76N075T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA76N075T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低
IXTA76N25T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTA76N25T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低
IXTA76P10T	IXYS	获取价格	P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA76P10T	LITTELFUSE	获取价格	Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱
IXTA7N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXTA80N075L2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA80N075L2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA80N075L2-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

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