是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | 风险等级: | 5.83 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 400 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 600 V | 最大漏极电流 (ID): | 7 A |
最大漏源导通电阻: | 1.1 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-263AB | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 14 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXTP7N60P | IXYS |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
IXFP7N60P3 | IXYS |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTA80N075L2 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA80N075L2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA80N075L2-TRL | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA80N10T | IXYS |
获取价格 |
TrenchMVTM Power MOSFET | |
IXTA80N10T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(ON)极低,因此确保了非常低 | |
IXTA80N10T7 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXTA80N12T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA80N12T2 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 120V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXTA86N20T | IXYS |
获取价格 |
Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTA86N20T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 |