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IXTA7N60P

更新时间： 2024-11-18 21:16:59

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	120K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN

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IXTA7N60P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.83
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	7 A
最大漏源导通电阻：	1.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTA7N60P 数据手册

Advance Technical Information

PolarHV^TM

Power MOSFET

V_DSS= 600

I_D25

R_DS(on)≤ 1.1

Ω

IXTA 7N60P

IXTP 7N60P

N-Channel Enhancement Mode

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-220 (IXTP)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1 MΩ

600

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

(TAB)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

TO-263 (IXTA)

I_AR

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

400

(TAB)

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 10 Ω

V/ns

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_C= 25°C

150

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Maximum tab temperature for soldering

TO-263 package for 10s

300

260

°C

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

M_d

Mounting torque

(TO-220)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-220

TO-263

Advantages

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Easy to mount

Space savings

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

500

High power density

5.5

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

µA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

1.1

Ω

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99320(06/05)

12 3 4

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IXTA7N60P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP7N60P	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IXFP7N60P3	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 1.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

与IXTA7N60P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA80N075L2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA80N075L2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA80N075L2-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA80N10T	IXYS	获取价格	TrenchMVTM Power MOSFET
IXTA80N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低
IXTA80N10T7	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTA80N12T2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA80N12T2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 120V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTA86N20T	IXYS	获取价格	Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA86N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低

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