生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.76 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTA90N055T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 55V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXTA90N055T2 | IXYS |
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DC to DC Synchronous Converter Design | |
IXTA90N055T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 | |
IXTA90N075T2 | IXYS |
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DC to DC Synchronous Converter Design | |
IXTA90N075T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 | |
IXTA90N15T | IXYS |
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Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode | |
IXTA90N20X3 | LITTELFUSE |
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超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘 | |
IXTA94N20X4 | LITTELFUSE |
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说明: 功能与特色: 应用: | |
IXTA96P085T | IXYS |
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TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode | |
IXTA96P085T | LITTELFUSE |
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Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用,这些应用可采用简单的接地参考驱 |