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IXTA80N10T

更新时间： 2024-11-03 14:56:15

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
6页	315K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

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IXTA80N10T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.46
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2
端子面层：	Matte Tin (Sn)

IXTA80N10T 数据手册

Trench^TM

Power MOSFET

V_DSS= 100V

I_D25= 80A

R_DS(on) 14m

IXTA80N10T

IXTP80N10T

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263

(IXTA)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220

(IXTP)

T_J= 25C to 175C

T_J= 25C to 175C, R_GS= 1M

100

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 20

 30

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

220

D (Tab)

G = Gate

S = Source Tab = Drain

= Drain

I_A

T_C= 25C

E_AS

400

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 175C

T_C= 25C

V/ns

Features

230

T_J

-55 ... +175

175



C

^Ultra-Low On Resistance

^Avalanche Rated

^Low Package Inductance

- Easy to Drive and to Protect

^175C Operating Temperature

^Fast Intrinsic Diode

T_JM

T_stg

-55 ... +175

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in

Advantages

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density



Applications



Automotive

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min. Typ.

Max.

- Motor Drives

- 42V Power Bus

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 50A

V_GS=  20V, V_DS= 0V

V_DS= 105V, V_GS= 0V

105

2.5

- ABS Systems



4.5

            200 nA

A

DC/DC Converters and Off-line UPS

Primary Switch for 24V and 48V

Systems

Distributed Power Architechtures



I_DSS

and VRMs

Electronic Valve Train Systems

High Current Switching

T_J= 150C

V_GS= 10V, I_D= 25A, Notes 1& 2

150  A

14 m



R_DS(on)



Applications

High Voltage Synchronous Recifier



DS99648B(11/18)

12 3 4 5 6

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与IXTA80N10T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA80N10T7	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTA80N12T2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA80N12T2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 120V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTA86N20T	IXYS	获取价格	Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA86N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTA86N20T-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA86N20X4	LITTELFUSE	获取价格	说明: 功能与特色: 应用:
IXTA88N085T7	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTA8N50P	IXYS	获取价格	PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA8N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡

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