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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.76 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 0.75 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (ID)： | 90 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.02 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 250 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTQ90N15T | IXYS |
类似代替  |
Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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| IXTH90N15T | IXYS |
类似代替 |
Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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| IXTP90N15T | IXYS |
类似代替 |
Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTA90N20X3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘 |
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| IXTA94N20X4 | LITTELFUSE |
获取价格 |
说明: 功能与特色: 应用: |
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| IXTA96P085T | IXYS |
获取价格 |
TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode |
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| IXTA96P085T | LITTELFUSE |
获取价格 |
Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱 |
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| IXTA96P085TTRL | IXYS |
获取价格 |
MOSFET P-CH 85V 96A TO-263 |
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| IXTA98N075T | IXYS |
获取价格 |
Advance Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET |
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| IXTA98N075T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低 |
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| IXTB30N100L | IXYS |
获取价格 |
Power MOSFETs with Extended FBSOA |
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| IXTB30N100L | LITTELFUSE |
获取价格 |
当功率MOSFET用于线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力，这是 |
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| IXTB62N50L | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 500V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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