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IXTC280N055T

更新时间： 2024-02-28 09:15:31

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	181K
描述
Power Field-Effect Transistor, 145A I(D), 55V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOPLUS220, 3 PIN

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IXTC280N055T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	ISOPLUS220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (ID)：	145 A
最大漏源导通电阻：	0.0036 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	600 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTC280N055T 数据手册

Preliminary Technical Information

TrenchMV^TM

Power MOSFET

IXTC280N055T

V_DSS= 55

I_D25= 145

R_DS(on)≤ 3.6 mΩ

(Electrically Isolated Back Surface)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

ISOPLUS220 (IXTC)

E153432

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1 MΩ

V_GSM

Transient

± 20

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C

145

600

Package Current Limit, RMS

Isolated back surface

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

G = Gate

S = Source

D = Drain

I_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.5

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 175°C, R_G= 3.3 Ω

V/ns

Features

^ꢀUltra-low On Resistance

^ꢀUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_C= 25°C

160

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

^ꢀLow package inductance

- easy to drive and to protect

^ꢀ175 °C Operating Temperature

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

Advantages

ꢀ

Easy to mount

V_ISOL

50/60 Hz, t = 1 minute, I_ISOL< 1 mA, RMS

Mounting force

2500

ꢀ

Space savings

ꢀ

F_C

11..65/2.5..15

N/lb.

High power density

Weight

Applications

ꢀ

Automotive

- Motor Drives

- High Side Switch

- 12VBattery

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

- ABS Systems

ꢀ

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 250 μA

V_GS= ± 20 V, V_DS= 0 V

DC/DC Converters and Off-line UPS

ꢀ

Primary- Side Switch

2.0

4.0

ꢀ

High Current Switching

Applications

± 200 nA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

25 μA

250 μA

T_J= 150°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 50 A, Notes 1, 2

2.9

3.6 mΩ

DS99629 (11/06)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTC36P15P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTC62N15P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTC75N10	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode
IXTC96N25T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 250V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTD01N100D-1M	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1000V, 110ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IXTD02N50D-1M	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 500V, 30ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem
IXTD100N25P-8S	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 250V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide
IXTD102N30P-88	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 300V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IXTD10N100	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTD10P50	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se

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