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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIE |
| 包装说明： | UNCASED CHIP, X-XUUC-N | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.76 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (ID)： | 21 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | X-XUUC-N | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | UNSPECIFIED |
| 封装形式： | UNCASED CHIP | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTD24N50-7X | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IXTD24P20-7B | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IXTD36N30P-5S | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 300V, 0.135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| IXTD36P10-5B | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.08ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IXTD40N30 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 300V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IXTD50N20 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 200V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTD50N20P-5S | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| IXTD50P10-7B | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| IXTD52N30P-6S | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 300V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
|
| IXTD74N20P-6S | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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