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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | DIE | 包装说明： | UNCASED CHIP, R-XUUC-N2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.71 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | MEGAFET | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏源导通电阻： | 0.9 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-XUUC-N2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTD10P60-7B | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 500V, 1.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| IXTD11P50-7B | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.75ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| IXTD120N15P-7S | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 150V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
|
| IXTD120N20P-8S | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
|
| IXTD120N25P-88 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 250V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| IXTD12N90-7L | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 900V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
|
| IXTD16P20-5B | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| IXTD170N10P-8S | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
|
| IXTD180N15P-88 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 150V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| IXTD200N10P-88 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
|
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