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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | UNCASED CHIP, R-XUUC-N3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.76 | 其他特性： | MEGAFET |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏源导通电阻： | 0.23 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-XUUC-N3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | UNCASED CHIP | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTD24P20-7B | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IXTD36N30P-5S | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 300V, 0.135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| IXTD36P10-5B | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.08ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| IXTD40N30 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 300V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTD50N20 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 200V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTD50N20P-5S | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
|
| IXTD50P10-7B | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| IXTD52N30P-6S | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 300V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
|
| IXTD74N20P-6S | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
|
| IXTD8P50-5B | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 500V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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