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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTE25N10X4U | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) |
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| IXTE25N20X4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 25A I(D) |
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| IXTE25N20X4U | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 25A I(D) |
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| IXTE7C65X4U | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 650V V(BR)DSS | 7A I(D) |
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| IXTE8C60X4U | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)DSS | 8A I(D) |
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| IXTE9N65X4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 650V V(BR)DSS | 9A I(D) |
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| IXTE9N65X4U | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 650V V(BR)DSS | 9A I(D) |
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| IXTF02N450 | IXYS |
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High Voltage Power MOSFET |
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| IXTF02N450 | LITTELFUSE |
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超高电压系列的N通道标准MOSFET专为要求严苛的快速切换电源转换应用设计，这类应用需要高 |
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| IXTF03N400 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 4000V, 300ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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