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IXTH02N250

更新时间： 2024-11-20 12:46:27

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5页	244K
描述
High Voltage Power MOSFETs

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IXTH02N250 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	8.52
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	2500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.2 A
最大漏极电流 (ID)：	0.2 A	最大漏源导通电阻：	450 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	57 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	0.5 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTH02N250 数据手册

High Voltage

Power MOSFETs

IXTA02N250

IXTH02N250

IXTV02N250S

V_DSS= 2500V

I_D25= 200mA

R_DS(on)≤ 450Ω

N-Channel Enhancement Mode

Fast Intrinsic Diode

TO-263 (IXTA)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

2500

D (Tab)

V_DGR

TO-247 (IXTH)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

200

600

D (Tab)

P_D

T_C= 25°C

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

°C

PLUS220SMD (IXTV_S)

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in

N/lb.

Mounting Force (PLUS220 & TO-263)

11..65 / 25..14.6

D (Tab)

Weight

TO-263

PLUS220

TO-247

2.5

4.0

6.0

G = Gate

= Drain

S = Source

Tab = Drain

Features

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

2500

2.5

Typ.

Max.

^zFast Intrinsic Diode

^zLow Package Inductance

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_DS= 0.8 • V_DSS

4.5

±100 nA

μA

500 μA

450

Advantages

I_DSS

Easy to Mount

Space Savings

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 50mA, Note 1

Applications

^zHigh Voltage Power Supplies

^zCapacitor Discharge

^zPulse Circuits

DS100187C(04/12)

12 3 4 5

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IXTH02N250 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTV02N250S	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 2500V, 450ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTA02N250HV	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 2500V, 450ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IXTH02N250相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH02N450HV	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 4500V, 625ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTH02N450HV	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH03N400	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 300A I(D), 4000V, 290ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTH04N300P3HV	LITTELFUSE	获取价格	Polar3?标准功率MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路
IXTH05N250P3HV	LITTELFUSE	获取价格	Polar3?标准功率MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路
IXTH06N220P3HV	LITTELFUSE	获取价格	Polar3?标准功率MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路
IXTH102N15T	IXYS	获取价格	Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTH102N15T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH102N20T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 102A I(D), 200V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTH10N100	IXYS	获取价格	MegaMOS FET

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