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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTH10N80 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTH10N90 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 900V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IXTH10N95 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTH10P45 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-218VAR |
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| IXTH10P50 | IXYS |
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Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTH10P50P | IXYS |
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PolarPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTH10P50P | LITTELFUSE |
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Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻( |
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| IXTH10P60 | IXYS |
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Standard Power MOSFET |
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| IXTH10P60 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH110N10L2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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