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IXTH06N220P3HV

更新时间： 2024-11-06 14:56:55

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关高压脉冲电源开关
页数	文件大小	规格书
6页	234K
描述
Polar3?标准功率MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉冲电路、激光和X射线发生系统、高压自动检测设备和电网的能量吸收应用。凭借通态电压的正温度系数，这种高

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IXTH06N220P3HV 数据手册

Advance Technical Information

High Voltage

Power MOSFET

V_DSS

I_D25

= 2200V

= 0.60A

IXTH06N220P3HV

R_DS(on) 80

N-Channel Enhancement Mode

TO-247HV

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

2200

D (Tab)

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

I_D25

I_D110

I_DM

T_C= 25C

T_C= 110C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

0.60

0.38

1.20

P_D

T_C= 25C

104

Features

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

C



High Blocking Voltage

High Voltage Package



T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Advantages

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in



Easy to Mount

Space Savings

Weight



High Power Density

Applications



High Voltage Power Supplies

Capacitor Discharge Applications

Pulse Circuits

Laser and X-Ray Generation Systems



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

2200

2.0

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 250A

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= 0.8 • V_DSS, V_GS= 0V

4.0

100 nA

I_DSS

10 A

T_J= 125C

200  A

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.30A, Note 1



DS100640(12/14)

12 3 4 5 6

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与IXTH06N220P3HV相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH102N15T	IXYS	获取价格	Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTH102N15T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH102N20T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 102A I(D), 200V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTH10N100	IXYS	获取价格	MegaMOS FET
IXTH10N100D	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH10N100D	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTH10N100D2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTH10N100D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTH10N60	IXYS	获取价格	10 AMP, 600V, 0.55-ohm / 0.7-ohm
IXTH10N60A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-247