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IXTH10N100

更新时间： 2024-11-04 22:47:59

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MegaMOS FET

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IXTH10N100 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A
最大漏极电流 (ID)：	10 A	最大漏源导通电阻：	1.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	300 W
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTH10N100 数据手册

MegaMOS^TMFET

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

IXTH / IXTM 10N100

IXTH / IXTM 12N100

1000V 10 A 1.20 Ω

1000V 12 A 1.05 Ω

N-ChannelEnhancementMode

Symbol

Test Conditions

MaximumRatings

TO-247 AD (IXTH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

1000

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

D(TAB)

V_GSM

I_D25

T_C= 25°C

10N100

12N100

TO-204 AA (IXTM)

I_DM

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

10N100

12N100

P_D

T_C= 25°C

300

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

G = Gate,

S = Source,

D = Drain,

TAB = Drain

-55 ... +150

M_d

Mountingtorque

1.13/10 Nm/lb.in.

TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g

300 °C

Weight

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Features

Internationalstandardpackages

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Rugged polysilicon gate cell structure

Low package inductance (< 5 nH)

- easy to drive and to protect

Fast switching times

Symbol

Test Conditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Applications

Switch-modeandresonant-mode

powersupplies

Motorcontrols

UninterruptiblePowerSupplies(UPS)

DC choppers

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

1000

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

4.5

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

250 µA

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Advantages

Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolated mounting screw hole)

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

10N100

12N100

1.20

1.05

Ω

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

Highpowerdensity

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

91540E(5/96)

1 - 4

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH10N100D	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH10N100D	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTH10N100D2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTH10N100D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTH10N60	IXYS	获取价格	10 AMP, 600V, 0.55-ohm / 0.7-ohm
IXTH10N60A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-247
IXTH10N80	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH10N90	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 900V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXTH10N95	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH10P45	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-218VAR

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