是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | End Of Life | 零件包装代码: | TO-247 |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.76 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 1200 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 102 A | 最大漏极电流 (ID): | 102 A |
最大漏源导通电阻: | 0.023 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-247 | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 750 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 250 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXFH96N20P | IXYS |
类似代替 |
PolarHT HiPerFET Power MOSFET | |
IXTH96N20P | IXYS |
类似代替 |
N-Channel Engancement Mode | |
IXTT96N20P | IXYS |
功能相似 |
N-Channel Engancement Mode |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTH10N100 | IXYS |
获取价格 |
MegaMOS FET | |
IXTH10N100D | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTH10N100D | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTH10N100D2 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTH10N100D2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
不同于增强型MOSFET,这些耗尽型器件在“常开”模式下运行,因此栅极引出线处需要的开启电 | |
IXTH10N60 | IXYS |
获取价格 |
10 AMP, 600V, 0.55-ohm / 0.7-ohm | |
IXTH10N60A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247 | |
IXTH10N80 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
IXTH10N90 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 900V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IXTH10N95 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |