Datasheet > IXTH120P065T

IXTH120P065T

更新时间： 2024-09-15 12:27:43

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
6页	195K
描述
TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTH120P065T 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.74
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	65 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.12 A
最大漏极电流 (ID)：	120 A	最大漏源导通电阻：	0.01 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	298 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	360 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTH120P065T 数据手册

TrenchP^TM

Power MOSFETs

V_DSS= - 65V

I_D25= - 120A

IXTA120P065T

IXTP120P065T

IXTH120P065T

R_DS(on)

≤

10mΩ

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 AA (IXTA)

D (Tab)

TO-220AB (IXTP)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

- 65

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±15

±25

D (Tab)

TO-247 (IXTH)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

- 120

- 360

I_A

E_AS

T_C= 25°C

- 60

P_D

T_C= 25°C

298

D (Tab)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Features

M_d

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

^zInternational Standard Packages

^zAvalanche Rated

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

^zExtended FBSOA

^zFast Intrinsic Diode

Low R_DS(ON)and Q_G

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250μA

V_DS= V_GS, I_D= - 250μA

V_GS= ± 15V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

- 65

Applications

- 2.0

- 4.0

±100 nA

High-Side Switching

Push Pull Amplifiers

DC Choppers

Automatic Test Equipment

Current Regulators

Battery Charger Applications

I_DSS

- 10 μA

- 750 μA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

10 mΩ

DS100026B(01/13)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

IXTH120P065T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP120P065T	IXYS	功能相似	TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode
IXTA120P065T	IXYS	功能相似	TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode

与IXTH120P065T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH12N100	IXYS	获取价格	MegaMOS FET
IXTH12N100L	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH12N100L	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1000V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTH12N120	IXYS	获取价格	Power MOSFET, Avalanche Rated High Voltage
IXTH12N150	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH12N45	IXYS	获取价格	12 AMPS, 450-500V, 0.4OM/0.5OM
IXTH12N45A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH12N45MA	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH12N45MB	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH12N50	IXYS	获取价格	12 AMPS, 450-500V, 0.4OM/0.5OM

与IXTH120P065T相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

6
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

6
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

84
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

78

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTH120P065T

IXTH120P065T 技术参数

IXTH120P065T 数据手册

IXTH120P065T 替代型号

与IXTH120P065T相关器件

与IXTH120P065T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTH120P065T

IXTH120P065T 技术参数

IXTH120P065T 数据手册

IXTH120P065T 替代型号

与IXTH120P065T相关器件

与IXTH120P065T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？