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IXTH120P065T

更新时间： 2024-11-05 12:27:43

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6页	195K
描述
TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode

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IXTH120P065T 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.74
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	65 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.12 A
最大漏极电流 (ID)：	120 A	最大漏源导通电阻：	0.01 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	298 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	360 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTH120P065T 数据手册

TrenchP^TM

Power MOSFETs

V_DSS= - 65V

I_D25= - 120A

IXTA120P065T

IXTP120P065T

IXTH120P065T

R_DS(on)

≤

10mΩ

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 AA (IXTA)

D (Tab)

TO-220AB (IXTP)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

- 65

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±15

±25

D (Tab)

TO-247 (IXTH)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

- 120

- 360

I_A

E_AS

T_C= 25°C

- 60

P_D

T_C= 25°C

298

D (Tab)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Features

M_d

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

^zInternational Standard Packages

^zAvalanche Rated

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

^zExtended FBSOA

^zFast Intrinsic Diode

Low R_DS(ON)and Q_G

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250μA

V_DS= V_GS, I_D= - 250μA

V_GS= ± 15V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

- 65

Applications

- 2.0

- 4.0

±100 nA

High-Side Switching

Push Pull Amplifiers

DC Choppers

Automatic Test Equipment

Current Regulators

Battery Charger Applications

I_DSS

- 10 μA

- 750 μA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

10 mΩ

DS100026B(01/13)

12 3 4 5 6

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IXTH120P065T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP120P065T	IXYS	功能相似	TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode
IXTA120P065T	IXYS	功能相似	TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode

与IXTH120P065T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH12N100	IXYS	获取价格	MegaMOS FET
IXTH12N100L	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH12N100L	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1000V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTH12N120	IXYS	获取价格	Power MOSFET, Avalanche Rated High Voltage
IXTH12N150	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH12N45	IXYS	获取价格	12 AMPS, 450-500V, 0.4OM/0.5OM
IXTH12N45A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH12N45MA	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH12N45MB	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH12N50	IXYS	获取价格	12 AMPS, 450-500V, 0.4OM/0.5OM

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