型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTH05N250P3HV | LITTELFUSE |
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Polar3?标准功率MOSFET适用于多种多样的电源开关系统,包括高压电源、电容放电电路 | |
IXTH06N220P3HV | LITTELFUSE |
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Polar3?标准功率MOSFET适用于多种多样的电源开关系统,包括高压电源、电容放电电路 | |
IXTH102N15T | IXYS |
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Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTH102N15T | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTH102N20T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 102A I(D), 200V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IXTH10N100 | IXYS |
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MegaMOS FET | |
IXTH10N100D | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTH10N100D | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTH10N100D2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTH10N100D2 | LITTELFUSE |
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不同于增强型MOSFET,这些耗尽型器件在“常开”模式下运行,因此栅极引出线处需要的开启电 |