Datasheet > IXTH102N15T

IXTH102N15T

更新时间： 2024-11-05 12:27:43

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅
页数	文件大小	规格书
7页	239K
描述
Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTH102N15T 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	750 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	102 A
最大漏极电流 (ID)：	102 A	最大漏源导通电阻：	0.018 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	455 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTH102N15T 数据手册

IXTA102N15T

IXTH102N15T

IXTP102N15T

IXTQ102N15T

Trench Gate

Power MOSFET

V_DSS= 150V

I_D25= 102A

R_DS(on)≤ 18mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 (IXTA)

TO-247 (IXTH)

TO-220 (IXTP)

TO-3P (IXTQ)

(TAB)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C R_GS= 1MΩ

150

G = Gate

S = Source

= Drain

TAB = Drain

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

102

300

I_A

E_AS

T_C= 25°C

750

Features

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

T_C= 25°C

V/ns

^zInternational standard packages

^zAvalanche rated

455

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-220, TO-3P, TO-247) 1.13 / 10

Nmlb.in.

N/lb.

Mounting Force

(TO-263)

10..65/2.2..14.6

Applications

Weight

TO-263

2.5

3.0

5.5

6.0

^zDC-DC converters

^zBattery chargers

TO-220

TO-3P

TO-247

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

^zDC choppers

^zAC motor drives

^zUninterruptible power supplies

^zHigh speed power switching

applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min.

150

3.0

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

5.0

± 200 nA

μA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

T_J= 150°C

250 μA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

18 mΩ

DS99661B(10/08)

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IXTH102N15T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH102N20T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 102A I(D), 200V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTH10N100	IXYS	获取价格	MegaMOS FET
IXTH10N100D	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH10N100D	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTH10N100D2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTH10N100D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTH10N60	IXYS	获取价格	10 AMP, 600V, 0.55-ohm / 0.7-ohm
IXTH10N60A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 10A I(D) \| TO-247
IXTH10N80	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH10N90	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 900V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

与IXTH102N15T相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTH102N15T

IXTH102N15T 技术参数

IXTH102N15T 数据手册

与IXTH102N15T相关器件

与IXTH102N15T相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTH102N15T

IXTH102N15T 技术参数

IXTH102N15T 数据手册

与IXTH102N15T相关器件

与IXTH102N15T相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？