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IXTH102N15T

更新时间： 2024-11-20 20:20:55
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
8页 234K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTH102N15T 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.76
Base Number Matches：1

IXTH102N15T 数据手册

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IXTA102N15T  
IXTH102N15T  
IXTP102N15T  
IXTQ102N15T  
Trench Gate  
Power MOSFETs  
VDSS = 150V  
ID25 = 102A  
RDS(on) ≤ 18mΩ  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263 (IXTA)  
TO-247 (IXTH)  
TO-220 (IXTP)  
TO-3P (IXTQ)  
G
S
G
G
D
(TAB)  
(TAB)  
(TAB)  
G
S
D
(TAB)  
D
S
S
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C RGS = 1MΩ  
150  
150  
V
V
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
TAB = Drain  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
± 20  
± 30  
V
V
ID25  
ILRMS  
IDM  
TC = 25°C  
Lead Current Limit, RMS  
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
102  
75  
300  
A
A
A
Features  
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
51  
750  
A
mJ  
z International Standard Packages  
z Avalanche Rated  
dV/dt  
PD  
IS ≤ IDM, VDD ≤ VDSS , TJ ≤ 175°C  
TC = 25°C  
10  
V/ns  
W
Advantages  
455  
z
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +175  
°C  
°C  
°C  
z
z
TL  
TSOLD  
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
Applications  
z DC-DC Converters  
z Battery Chargers  
Md  
FC  
Mounting Torque (TO-220, TO-3P, TO-247) 1.13 / 10  
Nmlb.in.  
N/lb.  
Mounting Force  
(TO-263)  
10..65/2.2..14.6  
z Switched-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
Weight  
TO-263  
2.5  
3.0  
5.5  
6.0  
g
g
g
g
TO-220  
TO-3P  
TO-247  
z DC Choppers  
z AC Motor Drives  
z Uninterruptible Power Supplies  
z High Speed Power Switching  
Applications  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
150  
2.5  
Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 1mA  
VGS = ± 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS= 0V  
V
V
5.0  
± 200 nA  
μA  
IDSS  
5
TJ = 150°C  
250 μA  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
18 mΩ  
DS99661C(04/09)  
© 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
12345678

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与IXTH102N15T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTH102N20T IXYS

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IXTH10N100 IXYS

获取价格

 		MegaMOS FET
IXTH10N100D LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTH10N100D IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTH10N100D2 IXYS

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 		Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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