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IXTH03N400

更新时间： 2024-11-20 20:06:35

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	186K
描述
Power Field-Effect Transistor, 300A I(D), 4000V, 290ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, PLASTIC PACKAGE-3

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IXTH03N400 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
其他特性：	AVALANCHE RATED	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	4000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.3 A	最大漏极电流 (ID)：	300 A
最大漏源导通电阻：	290 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	130 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	800 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTH03N400 数据手册

Advance Technical Information

High Voltage

Power MOSFET

V_DSS= 4000V

I_D25= 300mA

R_DS(on)≤ 290Ω

IXTH03N400

IXTV03N400S

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-247 (IXTH)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

4000

D (Tab)

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

PLUS220SMD (IXTV_S)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

300

800

P_D

T_C= 25°C

130

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

°C

D (Tab)

G = Gate

S = Source

= Drain

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Tab = Drain

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-247)

Mounting Force (PLUS220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

N/lb.

11..65 / 25..14.6

Features

Weight

PLUS220

TO-247

^zInternational Standard Packages

^zMolding Epoxies meet UL 94 V-0

Flammability Classification

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

4000

2.0

Typ. Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_DS= 0.8 • V_DSS, V_GS= 0V

4.0

Applications

±100 nA

^zHigh Voltage Power Supplies

^zCapacitor Discharge

^zPulse Circuits

I_DSS

10 μA

750 μA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

290

DS100214(11/09)

12 3 4

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