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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.67 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 2500 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 450 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 0.6 A |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTV02N250S | IXYS |
功能相似  |
Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 2500V, 450ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTH02N250 | IXYS |
功能相似 |
High Voltage Power MOSFETs |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTA02N250HV-TRL | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXTA02N450HV | IXYS |
获取价格 |
High Voltage Power MOSFETs |
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| IXTA05N100 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage MOSFET |
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| IXTA05N100 | LITTELFUSE |
获取价格 |
高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉 |
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| IXTA05N100HV | LITTELFUSE |
获取价格 |
高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉 |
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| IXTA05N100HVTRL | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 1000V, 17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IXTA05N100P | IXYS |
获取价格 |
Fast Intrinsic Diode |
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| IXTA05N100P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTA05N100P_V01 | IXYS |
获取价格 |
Fast Intrinsic Diode |
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| IXTA05N100-TRL | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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