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IXTF2N300P3

更新时间： 2024-11-21 14:56:43

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关高压脉冲电源开关
页数	文件大小	规格书
6页	219K
描述
Polar3?标准功率MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉冲电路、激光和X射线发生系统、高压自动检测设备和电网的能量吸收应用。凭借通态电压的正温度系数，这种高

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IXTF2N300P3 数据手册

Advance Technical Information

Polar3^TM

High Voltage

Power MOSFET

IXTF2N300P3

V_DSS

I_D25

R_DS(on) 21

= 3000V

= 1.60A

(Electrically Isolated Tab)

ISOPLUS i4-Pak^TM

N-Channel Enhancement Mode

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

3000

Isolated Tab

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

1 = Gate

2 = Source

5 = Drain

I_D25

I_D110

I_DM

T_C= 25C

T_C= 110C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

1.60

0.90

6.00

P_D

T_C= 25C

160

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

C

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C



Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

Isolated Mounting Surface

3000V~ Electrical Isolation

High Blocking Voltage



F_C

Mounting Force

20..120 / 4.5..27

N/lb



V_ISOL

Weight

50/60Hz, 1 Minute

3000

High Voltage Package

Advantages



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

3000

3.0

Typ. Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 250A

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

5.0

Applications

100 nA



High Voltage Power Supplies

Capacitor Discharge Applications

Pulse Circuits

Laser and X-Ray Generation Systems



I_DSS

10 A



Note 2, T_J= 125C

500 μA



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 1A, Note 1



DS100712(03/16)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXTH02N250	LITTELFUSE	获取价格	超高电压系列的N通道标准MOSFET专为要求严苛的快速切换电源转换应用设计，这类应用需要高
IXTH02N450HV	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 4500V, 625ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTH02N450HV	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH03N400	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 300A I(D), 4000V, 290ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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