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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 25 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTE25N20X4U | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 25A I(D) |
|
| IXTE7C65X4U | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 650V V(BR)DSS | 7A I(D) |
|
| IXTE8C60X4U | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)DSS | 8A I(D) |
|
| IXTE9N65X4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 650V V(BR)DSS | 9A I(D) |
|
| IXTE9N65X4U | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 650V V(BR)DSS | 9A I(D) |
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| IXTF02N450 | IXYS |
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High Voltage Power MOSFET |
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| IXTF02N450 | LITTELFUSE |
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超高电压系列的N通道标准MOSFET专为要求严苛的快速切换电源转换应用设计，这类应用需要高 |
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| IXTF03N400 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 4000V, 300ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTF1N250 | LITTELFUSE |
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超高电压系列的N通道标准MOSFET专为要求严苛的快速切换电源转换应用设计，这类应用需要高 |
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| IXTF1N400 | IXYS |
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High Voltage Power MOSFET (Electrically Isolated Tab) N-Channel Enhancement Mode |
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