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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 8.5 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.2 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 78 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTF03N400 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 4000V, 300ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTF1N250 | LITTELFUSE |
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超高电压系列的N通道标准MOSFET专为要求严苛的快速切换电源转换应用设计，这类应用需要高 |
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| IXTF1N400 | IXYS |
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High Voltage Power MOSFET (Electrically Isolated Tab) N-Channel Enhancement Mode |
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| IXTF1N400 | LITTELFUSE |
获取价格 |
超高电压系列的N通道标准MOSFET专为要求严苛的快速切换电源转换应用设计，这类应用需要高 |
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| IXTF1N450 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage Power MOSFET |
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| IXTF1N450 | LITTELFUSE |
获取价格 |
超高电压系列的N通道标准MOSFET专为要求严苛的快速切换电源转换应用设计，这类应用需要高 |
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| IXTF1R4N450 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXTF1R4N450 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| IXTF200N10T | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTF230N085T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 125A I(D), 85V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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