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IXTF1N450

更新时间： 2024-11-21 14:56:23
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
6页 181K
描述
超高电压系列的N通道标准MOSFET专为要求严苛的快速切换电源转换应用设计，这类应用需要高达4.5kV的阻断电压。 凭借通态电压的正温度系数，这种超高电压MOSFET适合并联工作，相比串联低压MO

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IXTF1N450 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.37
Base Number Matches：1

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High Voltage  
Power MOSFET  
VDSS  
ID25  
= 4500V  
= 0.9A  
IXTF1N450  
RDS(on)  80  
(Electrically Isolated Tab)  
ISOPLUS i4-PakTM  
N-Channel Enhancement Mode  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
1
2
Isolated Tab  
TJ = 25C to 150C  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
4500  
4500  
V
V
5
VDGR  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
1 = Gate  
2 = Source  
5 = Drain  
ID25  
IDM  
TC = 25C  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
0.9  
3.0  
A
A
PD  
TC = 25C  
160  
W
Features  
TJ  
TJM  
Tstg  
- 55 ... +150  
150  
- 55 ... +150  
C  
C  
C  
Silicon Chip on Direct-Copper Bond  
(DCB) Substrate  
Isolated Mounting Surface  
4500V~ Electrical Isolation  
Molding Epoxies meet UL 94 V-0  
Flammability Classification  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Plastic Body for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
FC  
Mounting Force  
20..120 / 4.5..27  
N/lb.  
V~  
g
VISOL  
Weight  
50/60Hz, 1 Minute  
4500  
6
Advantages  
High Voltage Package  
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ. Max.  
Applications  
VGS(th)  
IGSS  
VDS = VGS, ID = 250A  
VGS = 20V, VDS = 0V  
3.5  
6.0  
V
High Voltage Power Supplies  
Capacitor Discharge Applications  
Pulse Circuits  
100 nA  
A  
IDSS  
VDS = 3.6kV, VGS = 0V  
VDS = 4.5kV  
5
Laser and X-Ray Generation Systems  
25 μA  
VDS = 3.6kV  
Note 2, TJ = 100C  
15  
μA  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 50mA, Note 1  
80  
DS100501D(10/13)  
© 2013 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
123456

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