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IXTH02N250

更新时间： 2024-11-21 14:56:23

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力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
6页	221K
描述
超高电压系列的N通道标准MOSFET专为要求严苛的快速切换电源转换应用设计，这类应用需要高达4.5kV的阻断电压。凭借通态电压的正温度系数，这种超高电压MOSFET适合并联工作，相比串联低压MO

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IXTH02N250 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
Base Number Matches：	1

IXTH02N250 数据手册

High Voltage

Power MOSFETs

IXTH02N250

IXTV02N250S

V_DSS= 2500V

I_D25= 200mA

R_DS(on)≤ 450Ω

N-Channel Enhancement Mode

Fast Intrinsic Diode

TO-247 (IXTH)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

2500

PLUS220SMD (IXTV_S)

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

200

600

D (Tab)

P_D

T_C= 25°C

G = Gate

S = Source

= Drain

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

°C

Tab = Drain

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-247)

Mounting Force (PLUS220)

1.13 / 10

Nm/lb.in

N/lb.

11..65 / 25..14.6

Features

Weight

TO-247

PLUS220

^zFast Intrinsic Diode

^zLow Package Inductance

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

2500

2.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_DS= 0.8 • V_DSS, V_GS= 0V

Applications

4.5

±100 nA

μA

500 μA

450

^zHigh Voltage Power Supplies

^zCapacitor Discharge

^zPulse Circuits

I_DSS

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 50mA, Note 1

DS100187E(04/13)

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