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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | ISOPLUS, I4PAK-5 |
| 针数： | 5 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 85 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 125 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0049 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T5 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 520 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTF250N075T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 75V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTF280N055T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 55V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXTF2N300P3 | LITTELFUSE |
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Polar3?标准功率MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路 |
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| IXTF6N200P3 | LITTELFUSE |
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Polar3?标准功率MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路 |
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| IXTH02N250 | IXYS |
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High Voltage Power MOSFETs |
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| IXTH02N250 | LITTELFUSE |
获取价格 |
超高电压系列的N通道标准MOSFET专为要求严苛的快速切换电源转换应用设计，这类应用需要高 |
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| IXTH02N450HV | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 4500V, 625ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTH02N450HV | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH03N400 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 300A I(D), 4000V, 290ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTH04N300P3HV | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar3?标准功率MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路 |
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