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IXTF280N055T

更新时间： 2024-11-20 19:47:51

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	57K
描述
Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 55V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOPLUS, I4PAK-5

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IXTF280N055T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	ISOPLUS, I4PAK-5
针数：	5	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (ID)：	150 A	最大漏源导通电阻：	0.0035 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T5
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTF280N055T 数据手册

Advance Technical Information

TrenchMV^TM

Power MOSFET

V_DSS= 55

I_D25= 160

R_DS(on)≤ 4.0 mΩ

IXTF280N055T

(Electrically Isolated Back Surface)

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated

ISOPLUSi4-Pak^TM(5-lead)(IXTF)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1 MΩ

V_GSM

Transient

± 20

I_D25

I_L

I_DM

T_C= 25°C

160

150

600

Package Current Limit, RMS (75 A per lead)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.5

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/ms, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 175°C, R_G= 3.3 Ω

V/ns

G = Gate

S = Source

D = Drain

T_C= 25°C

200

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

Features

^ꢀUltra-low On Resistance

^ꢀUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

^{°C ꢀ}Low package inductance

- easy to drive and to protect

^ꢀ175 °C Operating Temperature

V_ISOL

50/60 Hz, t = 1 minute, I_ISOL< 1 mA, RMS 2500

F_C

Mounting force

20..120/4.5..25

N/lb.

Advantages

ꢀ

Weight

Easy to mount

Space savings

ꢀ

High power density

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

Applications

Automotive

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

ꢀ

- Motor Drives

- High Side Switch

- 12VBattery

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 250 μA

V_GS= ± 20 V, V_DS= 0 V

2.0

4.0

- ABS Systems

± 200 nA

μA

ꢀ

DC/DC Converters and Off-line UPS

Primary- Side Switch

High Current Switching

Applications

ꢀ

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

ꢀ

T_J= 150°C

250 μA

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 50 A, Notes 1, 2

4.0mΩ

DS99686 (01/07)

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