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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIE |
| 包装说明： | UNCASED CHIP, X-XUUC-N | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.76 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 50 A | 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | X-XUUC-N |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | UNSPECIFIED | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTD50N20P-5S | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| IXTD50P10-7B | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| IXTD52N30P-6S | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 300V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
|
| IXTD74N20P-6S | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
|
| IXTD8P50-5B | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 500V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IXTE10C40X4U | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) |
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| IXTE10C50X4U | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) |
|
| IXTE10N60X4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 650V V(BR)DSS | 10A I(D) |
|
| IXTE10N60X4U | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 650V V(BR)DSS | 10A I(D) |
|
| IXTE12N50X4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 12A I(D) |
|
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