是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 22 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 4 | 最大功率耗散 (Abs): | 125 W |
子类别: | FET General Purpose Power | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTE25C10X4U | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) | |
IXTE25N10X4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) | |
IXTE25N10X4U | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) | |
IXTE25N20X4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 25A I(D) | |
IXTE25N20X4U | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 25A I(D) | |
IXTE7C65X4U | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 650V V(BR)DSS | 7A I(D) | |
IXTE8C60X4U | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)DSS | 8A I(D) | |
IXTE9N65X4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 650V V(BR)DSS | 9A I(D) | |
IXTE9N65X4U | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 650V V(BR)DSS | 9A I(D) | |
IXTF02N450 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage Power MOSFET |