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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.9 | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTE10N60X4U | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 650V V(BR)DSS | 10A I(D) |
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| IXTE12N50X4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 12A I(D) |
|
| IXTE12N50X4U | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 12A I(D) |
|
| IXTE14N40X4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 400V V(BR)DSS | 14A I(D) |
|
| IXTE14N40X4U | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 400V V(BR)DSS | 14A I(D) |
|
| IXTE14N60X4U | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)DSS | 14A I(D) |
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| IXTE18N50X4U | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 18A I(D) |
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| IXTE22C20X4U | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 22A I(D) |
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| IXTE25C10X4U | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) |
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| IXTE25N10X4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) |
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