5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | PLASTIC, PLUS264, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.8 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 2000 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.45 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 800 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 70 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXFK30N100Q2 | IXYS |
类似代替  |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
|
| IXTN30N100L | LITTELFUSE |
功能相似 |
当功率MOSFET用于线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力，这是 |
|
| IXTN30N100L | IXYS |
功能相似 |
Power MOSFETs with Extended FBSOA |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTB62N50L | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 500V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IXTB62N50L | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXTC110N055T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 78A I(D), 55V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IXTC13N50 | IXYS |
获取价格 |
Power MOSFET ISOPLUS220 |
|
| IXTC160N10T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 100V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IXTC200N085T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 85V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IXTC200N10T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 101A I(D), 100V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
|
| IXTC220N055T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 55V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IXTC220N075T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 115A I(D), 75V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IXTC240N055T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 132A I(D), 55V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
