5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXTC160N10T
IXTC160N10T PDF预览

IXTC160N10T

更新时间： 2024-09-14 21:07:23
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 182K
描述
Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 100V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, ISOPLUS220, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXTC160N10T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Lifetime Buy包装说明：PLASTIC, ISOPLUS220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：83 A
最大漏源导通电阻：0.0075 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：430 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXTC160N10T 数据手册

 浏览型号IXTC160N10T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXTC160N10T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXTC160N10T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXTC160N10T的Datasheet PDF文件第5页 
Preliminary Technical Information  
TrenchMVTM  
Power MOSFET  
IXTC160N10T  
VDSS = 100  
ID25 = 83  
RDS(on) ≤ 7.5 mΩ  
V
A
(Electrically Isolated Back Surface)  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
ISOPLUS220 (IXTC)  
E153432  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C; RGS = 1 MΩ  
100  
100  
V
V
VGSM  
Transient  
± 20  
V
ID25  
IL  
IDM  
TC = 25°C  
83  
75  
430  
A
A
A
G
D
S
Package Current Limit, RMS  
Isolated back surface  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
IAR  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
25  
500  
A
mJ  
dv/dt  
PD  
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/μs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 175°C, RG = 5 Ω  
3
V/ns  
Features  
ꢀUltra-low On Resistance  
ꢀUnclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
TC = 25°C  
140  
W
ꢀLow package inductance  
- easy to drive and to protect  
ꢀ175 °C Operating Temperature  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +175  
°C  
°C  
°C  
TL  
TSOLD  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
Advantages  
ꢀ
Easy to mount  
ꢀ
Space savings  
VISOL  
50/60 Hz, t = 1 minute, IISOL < 1 mA, RMS  
Mounting force  
2500  
V
ꢀ
High power density  
FC  
11..65/2.5..15  
2
N/lb.  
g
Applications  
ꢀ
Weight  
Automotive  
- Motor Drives  
- 42V Power Bus  
- ABS Systems  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
ꢀ
DC/DC Converters and Off-line UPS  
(TJ = 25°C unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
ꢀ
Primary Switch for 24V and 48V  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 μA  
VDS = VGS, ID = 250 μA  
VGS = ± 20 V, VDS = 0 V  
100  
V
V
Systems  
ꢀ
Distributed Power Architechtures  
2.5  
4.5  
and VRMs  
ꢀ
Electronic Valve Train Systems  
± 200 nA  
ꢀ
High Current Switching  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
5 μA  
250 μA  
Applications  
ꢀ
High Voltage Synchronous Recifier  
TJ = 150°C  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 25 A, Notes 1, 2  
6.5  
7.5 mΩ  
DS99677(11/06)  
© 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved  
12345

中文翻译

下载PDF

与IXTC160N10T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTC200N085T IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 85V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTC200N10T IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 101A I(D), 100V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IXTC220N055T IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 55V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTC220N075T IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 115A I(D), 75V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTC240N055T IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 132A I(D), 55V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTC250N075T IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 128A I(D), 75V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTC26N50P IXYS

获取价格

 		PolarHV Power MOSFET
IXTC280N055T IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 145A I(D), 55V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTC36P15P LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTC62N15P IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IXTC160N10T相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证