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IXTC240N055T

更新时间： 2024-09-14 21:21:43

品牌	Logo	应用领域
IXYS		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	181K
描述
Power Field-Effect Transistor, 132A I(D), 55V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOPLUS240, 3 PIN

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IXTC240N055T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
雪崩能效等级（Eas）：	500 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (ID)：	132 A	最大漏源导通电阻：	0.004 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	650 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTC240N055T 数据手册

Preliminary Technical Information

TrenchMV^TM

Power MOSFET

IXTC240N055T

V_DSS= 55

I_D25= 132

R_DS(on)≤ 4.0 mΩ

(Electrically Isolated Back Surface)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

ISOPLUS240 (IXTC)

E153432

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1 MΩ

V_GSM

Transient

± 20

I_D25

I_L

I_DM

T_C= 25°C

132

650

Package Current Limit, RMS

Isolated back surface

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

G = Gate

S = Source

D = Drain

I_AR

E_AS

T_C= 25°C

500

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 175°C, R_G= 5 Ω

V/ns

Features

T_C= 25°C

150

^ꢀUltra-low On Resistance

^ꢀUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

^ꢀLow package inductance

- easy to drive and to protect

^ꢀ175 °C Operating Temperature

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

Advantages

V_ISOL

F_C

50/60 Hz, t = 1 minute, I_ISOL< 1 mA, RMS

2500

11..65/2.5..15

N/lb.

ꢀ

Easy to mount

Mounting force

ISOPLUS240

ꢀ

Space savings

ꢀ

High power density

Weight

Applications

ꢀ

Automotive

- Motor Drives

- High Side Switch

- 12VBattery

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

- ABS Systems

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 1 mA

V_GS= ± 20 V, V_DS= 0 V

ꢀ

DC/DC Converters and Off-line UPS

2.0

4.0 V ꢀ

Primary- Side Switch

High Current Switching

Applications

ꢀ

± 200 nA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

5 μA

250 μA

T_J= 150°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 50 A, Note 1

4.0 mΩ

DS99628(11/06)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTC250N075T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 128A I(D), 75V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTC26N50P	IXYS	获取价格	PolarHV Power MOSFET
IXTC280N055T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 145A I(D), 55V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTC36P15P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTC62N15P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTC75N10	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode
IXTC96N25T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 250V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTD01N100D-1M	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1000V, 110ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IXTD02N50D-1M	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 500V, 30ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem
IXTD100N25P-8S	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 250V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide

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