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IXTC220N055T PDF预览

IXTC220N055T

更新时间： 2024-11-02 21:02:07
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 181K
描述
Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 55V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOPLUS220, PLASTIC PACKAGE-3

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IXTC220N055T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
其他特性：AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：130 A
最大漏源导通电阻：0.0044 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：600 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXTC220N055T 数据手册

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Preliminary Technical Information  
TrenchMVTM  
Power MOSFET  
IXTC220N055T  
VDSS = 55  
ID25 = 130  
RDS(on) ≤ 4.4 mΩ  
V
A
(Electrically Isolated Back Surface)  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
ISOPLUS220 (IXTC)  
E153432  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C; RGS = 1 MΩ  
55  
55  
V
V
VGSM  
Transient  
± 20  
V
ID25  
ILRMS  
IDM  
TC = 25°C  
130  
75  
600  
A
A
A
G
D
S
Package Current Limit, RMS  
Isolated back surface  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
IAR  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
25  
500  
A
mJ  
dv/dt  
PD  
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/μs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 175°C, RG = 5 Ω  
3
V/ns  
Features  
ꢀUltra-low On Resistance  
ꢀUnclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
TC = 25°C  
150  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +175  
°C  
°C  
°C  
ꢀLow package inductance  
- easy to drive and to protect  
ꢀ175 °C Operating Temperature  
TL  
TSOLD  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
Advantages  
ꢀ
Easy to mount  
VISOL  
FC  
50/60 Hz, t = 1 minute, IISOL < 1 mA, RMS  
Mounting force  
2500  
11..65/2.5..15  
2
V
N/lb.  
g
ꢀ
Space savings  
ꢀ
High power density  
Weight  
Applications  
ꢀ
Automotive  
- Motor Drives  
- High Side Switch  
- 12VBattery  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
- ABS Systems  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 μA  
VDS = VGS, ID = 250 μA  
VGS = ± 20 V, VDS = 0 V  
55  
V
V
ꢀ
DC/DC Converters and Off-line UPS  
ꢀ
Primary- Side Switch  
2.0  
4.0  
ꢀ
High Current Switching  
Applications  
± 200 nA  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
5 μA  
250 μA  
TJ = 150°C  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 25 A, Note 1  
3.4  
4.4 mΩ  
DS99674(11/06)  
© 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved  
12345

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与IXTC220N055T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTC220N075T IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 115A I(D), 75V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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IXTC96N25T IXYS

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IXTD01N100D-1M LITTELFUSE

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 		Power Field-Effect Transistor, 1000V, 110ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S

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