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IXTC13N50

更新时间： 2024-11-18 02:59:47

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2页	72K
描述
Power MOSFET ISOPLUS220

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IXTC13N50 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

IXTC13N50 数据手册

ADVANCE TECHNICAL INFORMATION

Power MOSFET

ISOPLUS220^TM

Electrically Isolated Back Surface

N-ChannelEnhancementMode

Highdv/dt, Lowt_rr, HDMOS^TMFamily

IXTC 13N50 V

= 500 V

= 12 A

= 0.4 Ω

DSS

D25

DS(on)

ISOPLUS220^TM

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

500

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

Isolated back surface*

D = Drain,

V_GSM

G = Gate,

S = Source

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

* Patent pending

E_AR

T_C= 25°C

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

Features

Silicon chip on Direct-Copper-Bond

substrate

P_D

T_C= 25°C

140

T_J

-55 ... +150

150

°C

- High power dissipation

-Isolatedmountingsurface

-2500Velectricalisolation

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Lowdraintotabcapacitance(<35pF)

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Ruggedpolysilicongatecellstructure

UnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Weight

Applications

DC-DC converters

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

Batterychargers

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Switched-modeandresonant-mode

power supplies

min. typ. max.

DC choppers

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

500

ACmotorcontrol

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 2.5 mA

Advantages

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100

Easyassembly:noscrewsorisolation

foilsrequired

V_DS= 0.8 V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200 µA

Space savings

High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= I_T

Notes 1, 2

0.4

Ω

Lowcollectorcapacitancetoground

(low EMI)

98823 (05/01)

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