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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IXTA98N075T
IXTA98N075T PDF预览

IXTA98N075T

更新时间： 2024-11-02 12:02:23
品牌 Logo 应用领域
IXYS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
2页 79K
描述
Advance Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET

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IXTA98N075T 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：TO-263, 3 PIN针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84Is Samacsys：N
其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：600 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：75 V最大漏极电流 (ID)：98 A
最大漏源导通电阻：0.01 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：280 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXTA98N075T 数据手册

 浏览型号IXTA98N075T的Datasheet PDF文件第2页 
Advance Technical Information  
TrenchMVTM  
Power MOSFET  
IXTA98N075T  
IXTP98N075T  
VDSS = 75  
ID25 = 98  
RDS(on) ≤ 10 mΩ  
V
A
N-Channel Enhancement Mode  
TO-263 (IXTA)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25°C to 175°C  
75  
75  
V
VDGR  
TJ = 25°C to 175°C; RGS = 1 MΩ  
V
V
TAB  
G
VGSM  
Transient  
20  
S
ID25  
ILRMS  
IDM  
TC = 25°C  
98  
75  
A
A
A
Package Current Limit (RMS):  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
TO-220 (IXTP)  
280  
TAB  
dv/dt  
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/μs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 175°C, RG = 5 Ω  
5
V/ns  
G
S
IAR  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
25  
A
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TAB = Drain  
EAS  
600  
mJ  
Pd  
TC = 25°C  
230  
W
TJ  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
Features  
ꢀUltra-low On Resistance  
ꢀUnclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
ꢀLow package inductance  
- easy to drive and to protect  
ꢀ175 °C Operating Temperature  
-40 ... +175  
TL  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
TSOLD  
Md  
Mounting torque (TO-220)  
1.13 / 10 Nm/lb.in.  
Weight  
TO-220  
TO-263  
3.0  
2.5  
g
g
Advantages  
ꢀ
Easy to mount  
Space savings  
ꢀ
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
ꢀ
High power density  
(TJ = 25°C unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
Applications  
Automotive  
- Motor Drives  
- 42V Power Bus  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 μA  
VDS = VGS, ID = 100 μA  
VGS = 20 V, VDS = 0 V  
75  
V
V
ꢀ
2.0  
4.0  
200  
nA  
- ABS Systems  
ꢀ
DC/DC Converters and Off-line UPS  
Primary Switch for 24V and 48V  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
2
150  
μA  
μA  
ꢀ
TJ = 150°C  
Systems  
High Current Switching  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 25 A, Notes 1, 2  
10 mΩ  
ꢀ
Applications  
DS99541(04/07)  
© 2007 IXYS CORPORATION, All rights reserved  
12

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IXTA98N075T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXTP98N075T IXYS

功能相似

 Advance Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET
STP80NF70 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 68 V, 0.0082 Ω, 98 A, TO-220 STrip

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