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| 力特 - LITTELFUSE |  |
开关 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 6页 | 175K |  |
| 描述 | ||
| 当功率MOSFET用于线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力，这是因为同时发生高漏极电压和电流；这些极端应力会造成普通设备出现故障。 IXYS Linear MOSFET旨 | ||
| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.76 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTB62N50L | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 500V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IXTB62N50L | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTC110N055T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 78A I(D), 55V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTC13N50 | IXYS |
获取价格 |
Power MOSFET ISOPLUS220 |
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| IXTC160N10T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 100V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXTC200N085T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 85V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXTC200N10T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 101A I(D), 100V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| IXTC220N055T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 55V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXTC220N075T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 115A I(D), 75V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTC240N055T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 132A I(D), 55V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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