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IXTQ90N15T

更新时间： 2024-11-18 12:27:43

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IXYS		栅
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6页	198K
描述
Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

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IXTQ90N15T 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-3P	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	0.75 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (ID)：	90 A
最大漏源导通电阻：	0.02 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	250 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTQ90N15T 数据手册

Preliminary Technical Information

IXTA90N15T

IXTH90N15T

IXTP90N15T

IXTQ90N15T

V_DSS= 150V

Trench Gate

Power MOSFET

I_D25

90A

R_DS(on)

≤

20mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 (IXTA)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

150

(TAB)

TO-247 (IXTH)

V_GSM

± 30

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C *

250

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_A

E_AS

T_C

25°C

750

μJ

TO-220 (IXTP)

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

T_C= 25°C

V/ns

455

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

TO-3P (IXTQ)

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

(TAB)

M_d

F_C

Mounting Torque(TO-220,TO-3P,TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

Mounting Force (TO-263)

10..65/2.2..14.6

Weight

TO-263

2.5

G = Gate

D = Drain

TO-220

TO-3P

TO-247

5.5

S = Source

TAB = Drain

Features

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

150

Applications

^zDC-DC converters

^zBattery chargers

2.5

4.5

± 200 nA

μA

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

^zDC choppers

T_J= 150°C

250 μA

^zAC motor control

^zUninterruptible power supplies

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

20 mΩ

DS99857(08/07)

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IXTQ90N15T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTH90N15T	IXYS	类似代替	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTA90N15T	IXYS	类似代替	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTP90N15T	IXYS	类似代替	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ96N15P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Preliminary Data Sheet
IXTQ96N15P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ96N20P	IXYS	获取价格	N-Channel Engancement Mode
IXTQ96N20P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ96N25T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTQ96N25T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 96A I(D), 250V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTR102N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的
IXTR10N20A	LITTELFUSE	获取价格	Transistor
IXTR120P20T	LITTELFUSE	获取价格	Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱
IXTR140P10T	LITTELFUSE	获取价格	Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱

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