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IXTQ90N15T PDF预览

IXTQ90N15T

更新时间： 2024-01-05 11:12:36
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅
页数 文件大小 规格书
6页 198K
描述
Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

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IXTQ90N15T 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Transferred
零件包装代码：TO-3P包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：0.75 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (ID)：90 A
最大漏源导通电阻：0.02 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：250 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXTQ90N15T 数据手册

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Preliminary Technical Information  
IXTA90N15T  
IXTH90N15T  
IXTP90N15T  
IXTQ90N15T  
VDSS = 150V  
Trench Gate  
Power MOSFET  
ID25  
=
90A  
RDS(on)  
≤
20mΩ  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
S
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C, RGS = 1MΩ  
150  
150  
V
V
(TAB)  
(TAB)  
(TAB)  
TO-247 (IXTH)  
VGSM  
± 30  
V
ID25  
ILRMS  
IDM  
TC = 25°C *  
90  
75  
250  
A
A
A
Lead Current Limit, RMS  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
IA  
EAS  
TC  
TC  
=
=
25°C  
25°C  
4
750  
A
μJ  
TO-220 (IXTP)  
dV/dt  
PD  
IS ≤ IDM, VDD ≤ VDSS, TJ ≤ 175°C  
TC = 25°C  
10  
V/ns  
W
G
D
S
455  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +175  
°C  
°C  
°C  
TO-3P (IXTQ)  
TL  
TSOLD  
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s  
Plastic body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
G
D
S
(TAB)  
Md  
FC  
Mounting Torque(TO-220,TO-3P,TO-247)  
1.13/10  
Nm/lb.in.  
N/lb.  
Mounting Force (TO-263)  
10..65/2.2..14.6  
Weight  
TO-263  
2.5  
g
G = Gate  
D = Drain  
TO-220  
TO-3P  
TO-247  
3
5.5  
6
g
g
g
S = Source  
TAB = Drain  
Features  
z International standard packages  
z Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
z Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 1mA  
VGS = ± 20V, VDS = 0V  
150  
V
V
Applications  
z DC-DC converters  
z Battery chargers  
2.5  
4.5  
± 200 nA  
μA  
z Switched-mode and resonant-mode  
power supplies  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0V  
5
z DC choppers  
TJ = 150°C  
250 μA  
z AC motor control  
z Uninterruptible power supplies  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
17  
20 mΩ  
DS99857(08/07)  
© 2007 IXYS CORPORATION, All rights reserved  
123456

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IXTQ90N15T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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