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IXTA96P085T

更新时间： 2024-09-10 12:27:43

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6页	193K
描述
TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode

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IXTA96P085T 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	PLASTIC, TO-263, 3 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.5
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	85 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	96 A
最大漏极电流 (ID)：	96 A	最大漏源导通电阻：	0.013 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	298 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTA96P085T 数据手册

TrenchP^TM

Power MOSFETs

V_DSS= - 85V

I_D25= - 96A

IXTA96P085T

IXTP96P085T

IXTH96P085T

R_DS(on)

≤

13mΩ

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 AA (IXTA)

D (Tab)

TO-220AB (IXTP)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

- 85

V_DGR

D (Tab)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±15

±25

TO-247 (IXTH)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

- 96

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

- 300

I_A

E_AS

T_C= 25°C

- 48

D (Tab)

P_D

T_C= 25°C

298

G = Gate

S = Source

= Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Tab = Drain

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Features

M_d

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

^zInternational Standard Packages

^zAvalanche Rated

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

^zExtended FBSOA

^zFast Intrinsic Diode

Low R_DS(ON)and Q_G

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250μA

V_DS= V_GS, I_D= - 250μA

V_GS= ± 15V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

- 85

- 2.0

- 4.0

Applications

±100 nA

High-Side Switching

Push Pull Amplifiers

DC Choppers

Automatic Test Equipment

Current Regulators

Battery Charger Applications

I_DSS

- 10 μA

- 750 μA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

13 mΩ

DS100025B(01/13)

12 3 4 5 6

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IXTA96P085T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP96P085T	IXYS	完全替代	TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode
IXTH96P085T	IXYS	完全替代	TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode
IXTA96P085TTRL	IXYS	类似代替	MOSFET P-CH 85V 96A TO-263

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA96P085TTRL	IXYS	获取价格	MOSFET P-CH 85V 96A TO-263
IXTA98N075T	IXYS	获取价格	Advance Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET
IXTA98N075T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低
IXTB30N100L	IXYS	获取价格	Power MOSFETs with Extended FBSOA
IXTB30N100L	LITTELFUSE	获取价格	当功率MOSFET用于线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力，这是
IXTB62N50L	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 500V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXTB62N50L	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTC110N055T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 78A I(D), 55V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTC13N50	IXYS	获取价格	Power MOSFET ISOPLUS220
IXTC160N10T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 100V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

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