5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | PLASTIC, TO-263, 3 PIN |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 8.5 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 1000 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 85 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 96 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 96 A | 最大漏源导通电阻： | 0.013 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 298 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 300 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTP96P085T | IXYS |
完全替代  |
TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode |
|
| IXTH96P085T | IXYS |
完全替代 |
TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode |
|
| IXTA96P085TTRL | IXYS |
类似代替 |
MOSFET P-CH 85V 96A TO-263 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTA96P085TTRL | IXYS |
获取价格 |
MOSFET P-CH 85V 96A TO-263 |
|
| IXTA98N075T | IXYS |
获取价格 |
Advance Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET |
|
| IXTA98N075T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低 |
|
| IXTB30N100L | IXYS |
获取价格 |
Power MOSFETs with Extended FBSOA |
|
| IXTB30N100L | LITTELFUSE |
获取价格 |
当功率MOSFET用于线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力，这是 |
|
| IXTB62N50L | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 500V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IXTB62N50L | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXTC110N055T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 78A I(D), 55V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IXTC13N50 | IXYS |
获取价格 |
Power MOSFET ISOPLUS220 |
|
| IXTC160N10T | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 100V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
