是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Not Recommended |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.71 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 400 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (ID): | 80 A | 最大漏源导通电阻: | 0.014 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-263 |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G6 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 6 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 220 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTA80N12T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA80N12T2 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 120V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXTA86N20T | IXYS |
获取价格 |
Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTA86N20T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXTA86N20T-TRL | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA86N20X4 | LITTELFUSE |
获取价格 |
说明: 功能与特色: 应用: | |
IXTA88N085T7 | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXTA8N50P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTA8N50P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTA8N65X2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |