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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.71 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 400 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 80 A | 最大漏源导通电阻： | 0.014 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G6 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 220 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTA80N12T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTA80N12T2 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 120V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTA86N20T | IXYS |
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Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTA86N20T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXTA86N20T-TRL | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTA86N20X4 | LITTELFUSE |
获取价格 |
说明: 功能与特色: 应用: |
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| IXTA88N085T7 | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXTA8N50P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTA8N50P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTA8N65X2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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