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IXTA80N12T2

更新时间： 2024-11-18 21:12:35

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	204K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 120V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, TO-263AA, 3 PIN

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IXTA80N12T2 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	PLASTIC, TO-263AA, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.75
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	120 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	80 A
最大漏极电流 (ID)：	80 A	最大漏源导通电阻：	0.017 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	325 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTA80N12T2 数据手册

TrenchT2^TM

Power MOSFETs

V_DSS= 120V

I_D25= 80A

R_DS(on) 17m

IXTA80N12T2

IXTP80N12T2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Rectifier

TO-263AA (IXTA)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (Tab)

T_J= 25C to 175C

T_J= 25C to 175C, R_GS= 1M

120

V_DGR

TO-220AB (IXTP)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

200

D (Tab)

= Drain

I_A

T_C= 25C

400

325

E_AS

P_D

G = Gate

S = Source

Tab = Drain

T_J

-55 ... +175

175



C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +175

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^International Standard Packages

^175°C Operating Temperature

^Avalanche Rated

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.



Low R_DS(on)

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0

^Fast Intrinsic Rectifier

^High Current Handling Capability

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min. Typ.

Max.



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 100A

V_GS=  20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

120

2.5



4.5

            200 nA

A

Applications

I_DSS



Synchronous Rectification

DC/DC Converters and Off-Line UPS

Primary- Side Switch

High Current Switching Applications

T_J= 150C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Notes 1, 2

175  A

17 m



R_DS(on)



DS100240A(8/13)

12 3 4 5 6

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IXTA80N12T2 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STW80NF12	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 120V-0.013ohm-80A TO-220/TO-247/TO-

与IXTA80N12T2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTA86N20T	IXYS	获取价格	Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA86N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTA86N20T-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA86N20X4	LITTELFUSE	获取价格	说明: 功能与特色: 应用:
IXTA88N085T7	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTA8N50P	IXYS	获取价格	PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTA8N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTA8N65X2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA8N65X2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA8N70X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的

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