是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | D2PAK | 包装说明: | PLASTIC, TO-263AA, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.75 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 400 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 120 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 80 A |
最大漏极电流 (ID): | 80 A | 最大漏源导通电阻: | 0.017 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 325 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 200 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
STW80NF12 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 120V-0.013ohm-80A TO-220/TO-247/TO- |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTA86N20T | IXYS |
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Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTA86N20T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXTA86N20T-TRL | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA86N20X4 | LITTELFUSE |
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说明: 功能与特色: 应用: | |
IXTA88N085T7 | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXTA8N50P | IXYS |
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PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTA8N50P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTA8N65X2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA8N65X2 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA8N70X2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,具有最低的导通电阻,以及低栅极电荷和卓越的 |